[VIP第1年] 指数:3
半导体集成电路
• 应用场景：
◦ 晶圆制造：正性胶为主（如ArF/EUV胶），实现20nm以下线宽，用于晶体管栅极、接触孔等精细结构；
◦ 封装工艺：负性胶用于凸点（Bump）制造，厚胶（5-50μm）耐电镀溶液腐蚀。
• 关键要求：高分辨率、低缺陷率、耐极端工艺（如150℃以上高温、等离子体轰击）。
印刷电路板（PCB）
• 应用场景：
◦ 线路成像：负性胶（如环化橡胶胶）用于双面板/多层板外层线路，线宽≥50μm，耐碱性蚀刻液（如氯化铜）；
◦ 阻焊层：厚负性胶（50-100μm）覆盖非焊盘区域，耐260℃焊接温度和助焊剂腐蚀；
◦ 挠性PCB（FPC）：正性胶用于精细线路（线宽≤20μm），需耐弯曲应力。
• 优势：工艺简单、成本低，适合大面积基板（如1.2m×1.0m的PCB基板）。
平板显示
• 应用场景：
◦ 彩色滤光片：正性胶制作黑矩阵（BM）和RGB色阻间隔层，耐UV固化和湿法蚀刻（如HF溶液）；
◦ OLED像素定义：负性胶形成像素开口（孔径5-50μm），耐有机溶剂（如OLED蒸镀前的清洗液）；
◦ 触控面板：正性胶制作透明电极（如ITO线路），线宽≤10μm，需透光率＞90%。
• 关键参数：高透光性、低收缩率（避免图案变形）。
工艺流程
• 目的：去除基板表面油污、颗粒，增强感光胶附着力。
• 方法：
◦ 化学清洗（硫酸/双氧水、去离子水）；
◦ 表面处理（硅基板用六甲基二硅氮烷HMDS疏水化，PCB基板用粗化处理）。
涂布（Coating）
• 方式：
◦ 旋涂：半导体/显示领域，厚度控制精确（纳米至微米级），转速500-5000rpm；
◦ 喷涂/辊涂：PCB/MEMS领域，适合大面积或厚胶（微米至百微米级，如负性胶可达100μm）。
• 关键参数：胶液黏度、涂布速度、基板温度（影响厚度均匀性）。
前烘（Soft Bake）
• 目的：挥发溶剂，固化胶膜，增强附着力和稳定性。
• 条件：
◦ 温度：60-120℃（正性胶通常更低，如90℃；负性胶可至100℃以上）；
◦ 时间：5-30分钟（根据胶厚调整，厚胶需更长时间）。
曝光（Exposure）
• 光源：
◦ 紫外光（UV）：G线（436nm）、I线（365nm）用于传统光刻（分辨率≥1μm）；
◦ 深紫外（DUV）：248nm（KrF）、193nm（ArF）用于半导体先进制程（分辨率至20nm）；
◦ 极紫外（EUV）：13.5nm，用于7nm以下制程（只能正性胶适用）。
• 曝光方式：
◦ 接触式/接近式：掩膜版与胶膜直接接触（PCB、MEMS，低成本但精度低）；
◦ 投影式：通过物镜聚焦（半导体，分辨率高，如ArF光刻机精度达22nm）。
主要优势：细分领域技术突破与产业链协同
技术积累与自主化能力
公司拥有23年光刻胶研发经验，实现了从树脂合成、光引发剂制备到配方优化的全流程自主化。例如，其纳米压印光刻胶通过自主开发的树脂体系，分辨率达3μm，适用于MEMS传感器、光学器件等领域，填补了国内空白。
技术壁垒：掌握光刻胶主要原材料（如树脂、光酸）的合成技术，部分原材料纯度达PPT级，金属离子含量低于0.1ppb，良率超99%。
产品多元化与技术化布局
产品线覆盖芯片光刻胶、纳米压印光刻胶、LCD光刻胶、半导体锡膏等，形成“光刻胶+配套材料”的完整体系。例如：
◦ LCD光刻胶：适配AMOLED、Micro LED等新型显示技术，与京东方、TCL华星合作开发高分辨率产品，良率提升至98%。
◦ 半导体锡膏：供应华为、OPPO等企业，年采购量超200吨，用于5G手机主板封装。
技术化延伸：计划2025年启动半导体用KrF光刻胶研发，目标进入中芯国际、长江存储供应链。
质量控制与生产能力
通过ISO9001:2008质量体系认证，生产环境执行8S管理，原材料采用美、德、日进口高质量材料。拥有全自动化生产线，年产能达2000吨（光刻胶及配套材料），支持大规模订单交付。
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技术挑战：
◦ 技术壁垒：EUV光刻胶、3nm以下制程材料仍处研发阶段，光刻胶分辨率、灵敏度与国际水平存在差距（如东京应化ArF胶分辨率达14nm）。
◦ 供应链风险：树脂、光引发剂等原材料自给率不足8%，部分依赖进口（如日本信越化学）；美国对华技术封锁可能影响设备采购。
◦ 客户验证：光刻胶需通过晶圆厂全流程测试，验证周期长（1-2年），国内企业在头部客户渗透率较低。
未来展望：
◦ 短期（2025-2027年）：KrF/ArF光刻胶国产化率预计提升至10%-15%，南大光电、上海新阳等企业实现28nm-7nm制程产品量产，部分替代日本进口。
◦ 中期（2028-2030年）：EUV光刻胶进入中试验证阶段，原材料自给率提升至30%，国内企业在全球市场份额突破15%。
◦ 长期（2030年后）：实现光刻胶全产业链自主可控，技术指标对标国际前列，成为全球半导体材料重要供应商。
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“设备-材料-工艺”闭环验证
吉田半导体与中芯国际、华虹半导体等晶圆厂建立了联合研发机制，针对28nm及以上成熟制程开发专门使用光刻胶，例如其KrF光刻胶已通过中芯国际北京厂的产线验证，良率达95%以上。此外，公司参与国家重大专项（如02专项），与中科院微电子所合作开发EUV光刻胶基础材料，虽未实现量产，但在酸扩散控制和灵敏度优化方面取得阶段性突破。
政策支持与成本优势
作为广东省专精特新企业，吉田半导体享受税收优惠（如15%企业所得税）和研发补贴（2023年获得国家补助超2000万元），比较明显降低产品研发成本。同时，其本地化生产（东莞松山湖基地）可将物流成本压缩至进口产品的1/3，并实现48小时紧急订单响应，这对中小客户具有吸引力。
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